SiGe/Si肖特基异质结双极型晶体管的研究

本项目研究提出并验证了一种新型晶体管结构-肖特基异质结双极晶体管（SHBT）。它采用一层极薄的宽禁带材料发射区，减小发射区串联电阻和发射区少子渡越时间。设计并研制出SiGe SHBT,npn管达ft≥15GHz、pnp管fT≥6GHz，达到了预定目标。此外，研制出微波功率SiGe SHBT达fo=1GHz,Pout≥4.5W,Kp≥6.1dB；开展SiGe和Si二极管对比实验，前者反向恢复时间toff=20ns，后者toff=940ns。总结出异质发射结界面处理方法，稳定的获得BVceo=BVcbo，使BVceo显著提高，该技术已应用到工厂高压功率BSIT生产中，取得很好的效益。在SHBT理论指导下，提出四项异质结新器件的中国发明专利申请，中国专利局已公告，开拓了窄禁带发射区HBT研究新领域，转让专利技术一项。