采用光激励和光检测的LED芯片非接触检测技术

针对目前芯片检测仪器系统复杂，成本高和检测方法效率低等缺点，提出一种通过光照激励LED芯片的非接触检测方法，适合芯片大批量生产应用。检测光照在LED p-n结上产生的光伏效应引起的光发射，以此分析出对应的LED性能参数。提出用恒定强度光照射LED芯片，在p-n结上产生光生电动势作为p-n结的正向偏置电压，叠加交变磁场，控制、驱动载流子扩散流，增大载流子扩散流的峰值密度，以提高LED 芯片场致发光的峰值强度，并产生交变发光。这种检测方法，可以无需光源逐个扫描p-n结，而是同时照射到整个半导体晶圆或者选定区域，用图像传感器检测多个p-n结的光发射。提出在光照结束的瞬间，检测光生电动势放电引起的瞬态发光。这种检测方法，通过激励光源的切换，可以消除激励光源对检测的影响，提高检测灵敏度和可靠性。研究光激励下LED p-n结的光发射响应；设计针对LED晶圆及已经切割分离的单个LED芯片的检测仪器系统。