宽带隙GaN材料p型掺杂的第一性原理研究

Ⅲ族氮化物半导体，包括AlN，GaN和InN以及它们所组成的三元化合物AlGaN，AlInN，InGaN和四元化合物AlInGaN，因为其带隙可覆盖从0.7 eV到6.1 eV很宽的范围，而且都是直接带隙，使得其在光电子、微电子及全光谱固态白光照明等方面的潜在应用而引起了人们广泛的研究热潮。本项目拟采用量子力学的第一性原理计算方法研究Ⅲ族氮化物半导体的带隙组分变化关系，以及不同组分，不同带隙时各种p型掺杂元素如Mg、C、Ca、Zn、Cd等在GaN材料中p型掺杂的性质，如掺杂的形成能和掺杂能级，为实验研究和光电子器件的应用提供理论指导。