CRAM新型存储材料GeTi及其存储机理研究

以新型CRAM存储材料GeTi为研究目标。通过系统研究GeTi材料的结构、电阻稳定性、形貌、组分优化等性能，优选出具有存储功能的最佳组分；利用已经搭建起的考证存储材料的工艺和测试技术平台，优化GeTi材料的反应离子刻蚀工艺参数，深入研究其刻蚀机理，进而研究基于GeTi材料的器件单元的存储性能，优化出最佳的存储操作参数，最终反馈到材料的组分优化上，进一步指导材料研制；在材料与器件单元的研究基础上，探索GeTi材料的存储机理，为CRAM应用提供环境友好、存储性能优良、具有自主知识产权的新型存储材料。