本项目对一种自行设计的新探测结构的基础问题进行研究。该结构将半导体光电探测和热释电探测结合在一起,采用AlGaN/PZT垂直集成实现对目标的紫外-红外多波段探测。.本项目拟进行AlGaN/PZT热学性质、光学性质和电学性质等基础问题的研究。通过透射光谱等的测试,分析AlGaN膜层的紫外光吸收和红外透过以及PZT膜层的红外吸收问题;通过热绝缘层的研究,获得红外的光热电转化信号,解决PZT红外信号吸收热绝缘问题。在此基础上,建立器件模型,优化结构设计,探索新型AlGaN/PZT工艺技术,最终研制出一种可实现同时同位置探测紫外-红外波段信号的探测器件。
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数据更新时间:2023-05-31
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AlGaN基紫外双色探测器
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