绝缘衬底上高质量锗硅材料制备工艺及其性能研究
基本信息
批准号：60276045
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：刘超
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄风义,李建平,曾一平,李晋闽,张晓昕
关键词：
绝缘衬底上锗硅材分子束外延
结项摘要
在绝缘衬底上用气固源分子束外延技术研究高质量锗硅薄膜材料的.生长工艺技术,深入研究绝缘衬底上高质量锗硅薄膜材料的生长规律.、材料性能、微结构特征及其与制备工艺的相ス叵怠Ｑ兄瞥鲂乱淮哂腥橹矢衾虢峁购透呖昭ㄇㄒ坡实恼喙杌氲继灞∧げ?料，为研发锗硅基新型微电子器件和集成电路芯片提供新结构半导体材料。.............
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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