以研制具有高电子迁移率、对环境稳定的n-型有机场效应晶体管高分子半导体材料为目标,从分子工程学的角度设计并合成一系列结构新颖的含氟聚噻吩类高分子材料,鉴定其分子结构及空间堆积取向,运用紫外-可见光谱、荧光光谱、电化学循环伏安法表征其基本的光电子学性能,并测试它们作为n-型材料在有机场效应晶体管器件中的电子传输性能及其相应的稳定性,在此基础上研究探索分子结构与性能的关系,为下一步研制开发具备市场应用前景的高性能n-型有机场效应晶体管器件做理论指导和材料准备。
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数据更新时间:2023-05-31
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