基于自旋、结构相干操控的低维半导体电荷极化输运性质研究

近年来由于半导体材料自旋轨道耦合强度的可控制性提高，自旋电子学成为固体研究领域中新兴的前沿研究方向。其中心研究内容主要集中于在固态系统中对电子的自旋自由度进行有效的操控。基于此中心方向，在理论上需要对固体中电子自旋与其周围环境间的相互作用进行深入的研究，以期达到在实际应用中能够制造出基于自旋输运的有效器件的目的。在本项目研究中，我们将就介观尺度上低维半导体中电子自旋自由度和几何结构的相干操控对输运性质的影响展开研究。其主要内容包括低维介观系统中极化电流的性质和控制研究，破坏介观系统自旋相干输运的如杂质、缺陷、温度等物理机制研究及几何结构对输运性质的影响研究。