硅表面图形化掺杂及其对纳米结构自组装的影响
基本信息
批准号：90406007
项目类别：重大研究计划
资助金额：23.00
负责人：张朝晖
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱星,吴建华,贾春燕,孙艳荣,刘争晖,赵华波
关键词：
扫瞄隧道显微术纳米结构自组装硅平面制造工艺
结项摘要
利用硅的平面制造工艺，在硅衬底上进行图形化的掺杂；在超高真空系统中对掺杂后的样品做高温退火处理，制备图形化掺杂的硅表面；用扫描隧道显微术研究图形化掺杂表面的原子结构、局域化应力和应变以及原子在其上的扩散、吸附和成核的运动学行为；进一步特别研究图形化掺杂的硅表面对锗硅外延岛的形成、形态和分布的影响，并优化掺杂物、掺杂量、掺杂图形和外延生长的各种条件，促使纳米点和线以掺杂图形为摸板的自组织生长，探讨微
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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