轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响
基本信息
批准号：10375006
项目类别：面上项目
资助金额：35.00
负责人：任晓堂
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2003
结题年份：2007
起止时间：2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：于金祥,王忠义,闫继锋
关键词：
掺杂晶格位置离子注入沟道扫描
结项摘要
本项目利用离子束沟道扫描技术，借助于计算机Monte Carlo 模拟计算，研究碳、氮、氧、氟等轻元素的掺杂对铒在硅晶体中微观结构的影响，通过对所得结果与已有的相关光学性质的比较，得出铒在硅中的微观结构与其发光特性的联系。.该项目的研究意义在于其成果有助于搞清楚铒掺杂于硅晶体中发光的物理机制，为理清目前在这一问题上的混乱局面以及Si:Er发光技术的进一步开展提供有力的依据，从而为未来以硅为基体的光电器件的研制奠定基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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