采用分子束外延技术(MBE)技术,通过对应变自组装InAs/InGaAs量子点材料的生长和性质研究,在GaAs衬底上得到长波长的量子点材料。以此为有源区,研制出高质量的GaAs基1.3⒚琢孔拥慵す馄髌骷N庀送ㄑ短峁└咝阅堋⒌统杀镜募す馄髯榧俳畔⒏呖萍疾档姆⒄埂
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数据更新时间:2023-05-31
基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器
长链基因间非编码RNA 00681竞争性结合miR-16促进黑素瘤细胞侵袭和迁移
土体约束对海底管道整体屈曲的影响机理研究
综述:基于轨道角动量光子态的高维量子密钥分发
基于离散Morse理论的散乱点云特征提取
1.3微米波段高模式增益InAs/GaAs量子点激光器
基于激发态激射的高速1.3微米InAs/GaAs量子点激光器
宽光谱量子点材料及其器件应用
GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件