磁性氧化物薄膜的平面霍耳效应及其应用研究

研究与(Ga,Mn)As磁电性能相近的混价锰系庞磁阻氧化物和宽禁带氧化物稀磁半导体的平面霍耳效应。改变霍耳条的晶体取向和几何形状尺寸，改变磁场强度及取向，记录霍耳电压及轴向电阻随外加磁场方向、强度、温度等物理量的变化关系。利用平面霍耳效应数据研究上述铁磁薄膜或多层膜中的磁性质，如薄膜的自发磁化，磁晶各向异性及单轴各向异性，磁翻转机理或磁自旋转动（连续和不连续）过程，磁畴扩展类型等性质随薄膜生长工艺，磁性元素固溶度以及薄膜中的载流子浓度和类型的变化关系。探讨氧化物稀磁半导体薄膜中铁磁性产生的机理，判定一些磁性金属掺杂的氧化物体系中观察到的铁磁性是内秉的还是源于随机分布的第二相磁性颗粒。利用FIB等手段，探讨人工调控各向异性场强度，控制畴壁的产生和传播的可能办法。搜寻PHE信号较强并且霍耳电压与外磁场强度关系曲线上变号翻转陡峭的材料，设计制备原型低磁场探测器或磁性随机存储器。