磁敏异类半导体复合材料中的正磁电阻效应及其输运机理

正磁电阻效应在理论内涵和应用前景上与负磁电阻效应具有同等重要的意义．近十年来，已在多种形态的物质中观察到机理各不相同的正磁电阻行为。这些正磁电阻效应大多发生在低于室温的条件下。最近我们在高于室温的区域（305-345K）在锰酸盐-氧化铟锡复合材料中观察到了明显的正磁电阻现象。该材料在略高于锰酸盐居里温度附近应该是磁性P型半导体和非磁性N型半导体的复合体系。该类体系的正磁电阻行为的研究尚未见有更多报道。本项目即旨在通过掺杂，取代和改变实验条件，从实验及理论两方面去阐明磁敏异类半导体复合材料的正磁电阻效应的宏观规律及微观机理。为正磁电阻效应研究开拓一个新的方向。在此基础上探索在室温区人为造就一个足够宽的正磁电阻平台，从而为推动正磁电阻效应走向实际应用奠定可靠的实验和理论依据。