宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的外延生长及掺杂研究

本项研究用分子束外延法成功地在（100）GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMgxSySe1-x新型宽禁带II-IV族四元合金，并对其结构和性能进行了详细研究。此外，解决了制备II-IV族蓝绿激光二极管的关键问题---掺杂问题。Zn1-xMgxSySe1-x的n型掺杂采用ZnCl2作掺杂源，载流子浓度达1×10(18)cm(3)，其P型掺杂采用N2的等离子体作掺杂源，掺杂量达3×10（17）cm(3)。在此基础上生长了ZnMgSSe/ZnSe,ZnMgSSe/ZnSSe/ZnCdSe等制备激光二级管所需的结构。这在国内尚无报道，为制备电注入的蓝绿激光二极管打下了基础。