高Al组份AlxGa1-xN 宽禁带半导体薄膜的MOCVD外延生长和掺杂研究
基本信息
批准号：60444007
项目类别：专项基金项目
资助金额：6.00
负责人：沈波
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐科,许福军,雷双英,唐宁,王茂俊,王彦,鲁麟
关键词：
III族氮化物MOCVD生长高Al组份掺杂宽禁带半导体
结项摘要
基于高Al组份AlxGa1-xN/GaN量子阱和异质结构的紫外光发射器件、子带跃迁光电子器件和高温、高功率微波器件是当前国际半导体研究的前沿领域。本申请项目以该类光电子和微电子器件研制对材料的需求为背景，对高Al组份AlxGa1-xN外延材料的MOCVD生长动力学和掺杂动力学，及相关材料的微结构、光学性质和电学性质进行系统、深入的研究，并尝试开展高Al组份AlxGa1-xN/GaN量子阱和异质结
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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