强电场下有机半导体中的齐纳隧穿研究

半导体材料在强电场下的电荷输运是人们关注的问题。与无机半导体材料相比，有机半导体具有较强的电子- - -晶格相互作用，外加电场增强到一定强度，电荷输运机制会发生变化。目前为止，关于有机半导体中电子在强电场下的带间隧穿（Zener隧穿）的报道较少。我们拟采用紧束缚近似和非绝热动力学方法，研究准一维有机半导体，包括共轭聚合物、嵌段共聚物、某些条件下的DNA分子在强电场下的Zener隧穿及其对有机半导体电性质的影响。并且，嵌段共聚物较均聚物具有以下特点：通过调节各嵌段聚合物的尺度和界面耦合能够改变带隙；多量子阱或超晶格特性；运用在光电器件中作为发光层可提高发光效率。通过讨论共聚物、DNA分子中可能的Zener隧穿现象及其对有机半导体电性质的影响，丰富有机半导体的Zener 隧穿理论，并对嵌段共聚物在有机光电器件中的应用提供一定的理论指导。