以贱金属作内电极低温烧结的多层结构PTCT的研究

基本信息
批准号:59672012
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:周志刚
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王玲玲,霍志刚,赵颖
关键词:
多层技术贱金属低温共烧MLPTCT
结项摘要

正温度系数热敏电阻PTCR具有一系列独特的性能与广阔的应用范围。近50年来已成为全世界电子陶瓷行业研究和开发的一个经久不衰的热点它是一种量大面广的高、新技术产品,在全世界工业发达国家都予以很大重视。过高的烧结温度是当今PTCR生产或本较高和工艺复杂的主要原因之一。研究中针对陶瓷的半导体特性,采用特殊的助烧剂和特殊的烧结技术,采用复阻抗分析和电子顺磁共振等近代技术系统地研究了低温烧结PTCR陶瓷的结构与性能关系,较大幅度的降低了烧结温度。目前钛酸钡铅陶瓷的烧结温度已降低至950℃以下,钛酸钡陶瓷的烧结温度已降至1000℃左右,PTCR的展出生能良好。在国内外均未见报导。具有国际先进水平。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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