器件质量SiGe应变层的生长及超高频低噪声HBT和IC的研制
基本信息
批准号：69876004
项目类别：面上项目
资助金额：14.00
负责人：陈建新
学科分类：
依托单位：北京工业大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张翔九,高国,胡际璜,徐晨,赵立新,韩金茹,罗辑,魏欢
关键词：
SiGe应变层基区量子阱输运自对准工艺
结项摘要
提出并研制出新型量子阱基区低噪声超高速SiGe/SiHBT器件与IC结构。此新结构游锢砩辖饩隽嗽肷凳?fT、fm之间互相制约的矛盾。在工艺上提出具有侧壁氧化隔离远宰己屠胱幼⑷胱远宰夹鹿ひ眨山徊浇档推骷肷凳齠T和fm。同时对“器件质量”腟iGe应变层的生长和掺杂技术等进行深入研究，从而为SiGe材料和器件在我国的发展作出毕住
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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