基于绝缘衬底的SiGe微波双极功率器件的研究
基本信息
批准号：60476034
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：陈建新
学科分类：
依托单位：北京工业大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：史辰,王东风,董欣,李振国,高铭洁,薛春来,姚飞
关键词：
HBT及其ICSiGe双极器件SOS/S高频大功率高频信号衬底泄漏
结项摘要
SiGe双极异质结器件基于自身能带结构特点，在高频大功率方面具备独特优势。在此领域中宽带、移动通讯及GPS合雷达的部分应用频带处于1-2GHz，无限局域网应用频率2.4-5.8GHz，SiGe HBT及其IC适合此要求，并完全可能取代GaAs器件。因此SiGe功率HBT已成为国际高速器件领域的研究热点和主要工业国家及著名企业激烈竞争的重要商业领域。在我国，每年移动通讯设施具有2000万台需求量，形
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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