多孔low-k薄膜材料的新型表征技术

随着集成电路芯片中的导线密度不断增加，导线宽度和间距不断减小，导致集成片的电阻和电容增大，寄生效应越来越明显，进而成为制约芯片性能的技术因素。采用低介电常数（low-k）材料替代传统二氧化硅绝缘材料已逐渐成为发展集成电路工艺的主要选择。多孔材料在降低材料的介电常数方面有明显的优势，因而多孔low-k薄膜材料中孔的结构特性的研究，是发展下一代超大规模集成电路的基础应用技术。但目前用于多孔薄膜材料的孔结构特性的表征手段非常欠缺。慢正电子束流技术是近年来发展起来的一种新型的微观核探针技术，在表征微缺陷结构方面有其独特性。因此，结合慢正电子束流技术，发展一种全新地薄膜材料孔结构特性的分析测量手段，对于研究low-k材料孔结构特性，优化集成工艺具有指导意义和应用价值。本项目将结合北京慢正电子束流装置，利用正电子在材料中的湮没信息，在薄膜材料孔结构特性的研究中展现新的应用领域。