纳米多孔薄膜材料的制备及其结构的慢正电子束流技术表征

纳米多孔薄膜材料具有较大的比表面积、孔容存储量高等特点，在择形分离、高效特性催化、传感及光、电领域有着重要的应用前景。深入系统地研究孔洞结构及尺寸可控且稳定的薄膜合成制备工艺，理解纳米孔洞表面微观结构、缺陷及电荷状态的性质，直接关系到材料性能的提高及优化。申请人拟利用物理化学气相沉积、电化学及溶胶－凝胶等手段制备三种硅基与非硅基纳米多孔薄膜材料（多孔硅、多孔二氧化硅、多孔二氧化钛）；并利用对薄膜物质内部电子状态、微缺陷及孔洞性质敏感的慢正电子束流技术，结合同步辐射Ｘ射线散射技术及其它常规表征手段，从微观上系统研究纳米多孔薄膜的孔洞、孔洞表面微观结构和特定缺陷的性质。掌握孔洞结构和尺寸规则的纳米多孔薄膜的制备工艺，探讨材料的发光、变色、光催化等性能与微观结构和缺陷的关系。