GaN量子点，量子线制备及物性研究

GaN量子点，量子线制备和物性研究是当前国际上前沿课题，本研究以解决GaN量子点，线的尺度和空间分布的可控性为目标，采用MOCVD两步生长技术和激光辐照诱导晶化技术，制备GaN量子点和量子点阵，同时用内延MOCVD生长技术，以纳米C管为载体，制备能固化在a--Al2O3衬底上的GaN量子线，并研究GaN量子点，线的微结构和光学性质。