将应变自组装技术与光刻腐蚀技术相结合,在非平面衬底上探索选择性外延生长工艺。利用不同晶面生长速率的差别、外延层应变分布的变化、成核特点的不同对量子点、量子线的大小、形状及分布进行调制,制备有序性较高的量子点、量子线。将量子点、量子线的空间有序性和周期性图形衬底有效结合起来,探索制备纳米衍射光学元件。
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数据更新时间:2023-05-31
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