半导体锗、硅量子线与量子点
基本信息
批准号：19304007
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：5.50
负责人：施毅
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：1993
结题年份：1996
起止时间：1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：顾书林,吴凤美,张学渊,施洪涛,秦林洪,江宁
关键词：
选择外延生长选择腐蚀锗硅低维量子结构
结项摘要
本项目试图在已有的开拓性结果之基础上，进一步研究凋亡抑制基因bcl-2和早幼粒白血病分子标志PML-RARα在氧化砷选择性地诱导早幼粒白血病（APL）细胞凋亡中的作用，并试图通过差异显示法克隆1-2个氧化砷效应相关基因。这对于研究PML-RARα在APL发病学上的意义、砷的生物学作用，bcl-2在APL细胞凋亡中的作用等方面具有重要的现实和理论意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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