适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究

本项目将重点研究基于应变硅等新材料的沟道工程、高介电常数栅介质材料及金属栅电极材料的栅工程等相关集成技术的新原理、新技术，为发展具有自主知识产权的超大规模集成电路技术奠定基础。研究内容包括：.(1)超高真空外延生长单晶锗硅、弛豫锗硅、应变硅材料及工艺优化研究；基于锗硅及应变硅为沟道材料的集成工艺。(2)新型栅结构中高介电常数材料的选择、制备及可靠性研究；金属栅电极，高介电常数材料、沟道材料及金属栅电极材料界面特性的研究。(3)探索将上述高迁移率沟道材料、高介电常数栅介质材料以及新型金属栅材料有机地结合起来，形成完整的适用于65纳米技术代以后的集成化CMOS工艺；完善新型CMOS结构的性能表征及理论模型。.本项目将解决65nm技术代以后CMOS栅工程及沟道工程面临的关键基础性科学问题，它的实施将为实现新一代高性能的CMOS器件与电路提供理论与实验的指导。