超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究
基本信息
批准号：60376024
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：郝跃
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：任红霞,刘红侠,赵天绪,马晓华,张晓菊,刘道广,王卜,王峰祥,张进城
关键词：
超深亚微米槽栅深亚微米技术制备技术
结项摘要
本项目主要研究内容为：超深亚微米槽栅CMOS器件制备的自对准工艺技术的实现；超深亚微米槽栅CMOS器件的失效机理和模式的研究，重点对高场应力下器件的退化机制和耦合失效模式以及器件结构对其可靠性的影响进行研究，确定最佳器件结构；器件制备最佳工艺研究，重点研究槽栅刻蚀方法和工艺参数与界面特性和器件特性的关系，同时展开器件特性及可靠性与工艺方法和参数的关系的研究，给出合理、实用的超深亚微米槽栅CMOS器
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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