0.1微米难熔金属栅CMOS器件的研究
基本信息
批准号：60076018
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：韩郑生
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李俊峰,赵玉印,柴淑敏,杨雪莹,李瑞钊
关键词：
金属栅多晶硅栅亚01um时代
结项摘要
本项目研究用难熔金属作深亚米CMOS器件栅电极的可靠性、稳定性和工艺兼容性等问题，并在此基础上研制0.1um金属CMOS器件。金属栅器件不但具有非常小的栅薄层电阻，而且从根本上消除了传统多晶硅栅器件所固有的栅耗尽效应和硼穿透现象。金属栅工艺是亚0.1um时代研制高速、低功耗、高性能CMOS器件的关键工艺技术之一。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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