下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究
基本信息
批准号：60476017
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：许军
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈培毅,张伟,严利人,梁仁荣,王玉东,熊小义,鲁亚诗,陈巍巍,王飞
关键词：
应变硅MOSFET设计优化迁移率超高速
结项摘要
在现有的生产加工设备条件和现有的MOS器件特征尺寸下，如何通过探索新型器件材料、研究新型器件结构、开发新型器件工艺，不断提高器件与集成电路的性能，无论是对于微电子学与集成电路技术的长远发展，还是对于我国微电子产业规避巨额投资风险，实现跨越式发展，都具有十分重要的学术意义和应用价值。本课题首先拟采用现有的超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备来研究制备弛豫的SiGe过渡层，在此基础上将进一步研究
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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