纳米级自对准双栅CMOS器件的结构和工艺研究
基本信息
批准号：60276022
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：徐秋霞
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：周小茵,孙宝刚,卓铭,侯瑞兵
关键词：
双栅CMOS器件新结构亚01微米
结项摘要
本课题着重研究亚0.1微米CMOS器件的新结构和关键工艺技术。提出了一种全新的自对准双そ峁梗捎枚晕薅ㄐ凸杞薪鹗粲盏己?向再结晶技术形成亚0.1微米的准SOI结构的CMOS器件，可以很好地抑制短沟道效应。同时研究相关的特殊工艺技术，包括多层介质.层的细线蹩淌从攵嗑Ч璧钠教够取Ｗ钪罩谱龀鲂阅芰己玫哪擅?级器件。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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