集成电路深层信息带电衬度检测的机理研究

基本信息
批准号:60476018
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:张海波
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:2004
结题年份:2007
起止时间:2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王志国,冯仁剑,王雷,殷亚云,张响亮
关键词:
集成电路测试带电效应扫描电子显微镜二次电子成像
结项摘要

集成电路集成度的迅速提高对测试方法提出了更高的要求。带电衬度是一种新型的无需去掉绝缘层便可以检测集成电路深层结构信息的扫描电子显微镜成像机制。对这种新型检测手段的研究既是国际前沿课题,也符合我国集成电路工业发展的战略需求。本项目将开展电子束照射绝缘膜时的带电衬度的基础研究。通过蒙特-卡罗法计算带电绝缘膜的表面电位,然后计算二次电子在表面局部电场作用下返回表面的特性和成像信号电流,定量地研究带电衬度与照射条件、绝缘膜表面电位、电路结构(含多层结构)等参数之间的关系和影响带电衬度检测精度与分辨率的有关因素,建立对正、负带电均适用的带电衬度理论;探讨带电衬度的最佳工作条件;适度开展带电衬度的实验研究,验证理论和计算结果。研究成果对于全面揭示带电衬度规律、开发新型的集成电路深层结构信息检测与高精度版图对准技术以及提高我国的集成电路工艺水平,具有重要的科学意义和应用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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