N－Ga共掺p型ZnO薄膜的制备及其性质研究

在载能活性源辅助的反应脉冲激光沉积和原位掺杂的机理研究的基础上，制备镓元素和氮元素分别掺杂和共掺杂的ZnO薄膜，并尝试以成键二元素Nx－Ga对ZnO进行氮镓原位共掺杂制备p型ZnO薄膜；通过考察杂质和杂质源的种类、杂质源的激活方法和能量等对掺杂效果和样品电学和光学等特性的影响，以及后处理的作用，摸索制备低阻抗的p型ZnO薄膜的有效方法，并在成功制备材料的基础上，进行应用尝试。. ZnO属于宽禁带直接带隙半导体，与GaN具有类似的结构，还具有优于GaN的一些优点，非常有望应用于紫外光探测器、发光器件、激光器等的制作。但目前p型ZnO材料的制备难度较大，研究相对滞后，制约了基于ZnO材料的光子学和光电子器件的研制。掺杂机理研究、有效掺杂方法的探索和实用的P型ZnO材料的成功制备，必将推动ZnO这一很有前景的材料在光子学和光电子学领域的应用，同时增进对宽禁带半导体掺杂机理的了解。