以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索

基本信息
批准号：69976034
项目类别：面上项目
资助金额：17.30
负责人：林成鲁
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邢昆山,多新中,曾建民,符晓荣,黄碧萍
关键词：
智能剥离氮化铝绝缘层上硅
结项摘要

SOI技术突破了体硅及集成电路的限制，被称为二十一世纪的微电子技术。然而，常规的SOI材料的SiO2埋层因导热性较差而限制了其应用。本项目结合AlN的离子束合成与智能剥离最录际酰肁lN热导率高、电阻率大等优良性能，探索研究以AlN为埋层的SOI新材料及其相关的技术基础，以发展有知识产权的SOI技术，拓宽其在高温、大功率电路等方面的应用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间：2023-05-31

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