类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究

SOI是微纳电子的主流技术。为克服常规SOI材料因二氧化硅埋层导热性较差而产生的自加热效应，本项目提出以导热性能较好并有较好电学性能的类金刚石薄膜为SOI的绝缘埋层。研究高质量稳定类金刚石薄膜的制备及其相应的物理化学原理，掌握类金刚石薄膜和硅表面之间的低温键合技术，并深入研究与键合界面相关的物理化学过程，采用智能剥离的方法制备出以类金刚石薄膜为埋层的SOI新材料，为提高SOI器件性能，拓宽SOI应用范围提供材料基础。