硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索

本研究项目在基础理论研究与半导体材料和器件实际应用方面均具有重要的意义，是一项处于国际先进水平的具有独创性的研究成果：1、深入研究了氢、氦离子注入硅中纳米气泡与空腔的形成过程、物理机制。2、系统研究了氢、氦离子注入硅中与热处理后气体从纳米孔中释放，及气体释放后空腔的演变的规律，在工艺上已掌握在硅中获得重复性与可控性好的纳米孔层。3、掌握了氢离子注入硅中形成局域性强纳米气泡层的条件，在国内首家制备出了4英寸的Smart-cuSOl新材料。4、首次提出利用氢、氦离子注入与退火将高密度的纳米空腔引入到SOl氧化埋层的下面，对顶层硅中过渡金属杂质进行吸除。有效地解决SOl材料吸杂的难题。