BF+2分子离子注入硅辐射损伤的反常行为

本研究首次发现了BF2（+）注入硅的损伤区别于常规离子注入的反常行为，得到了与文献不同的结论，文献中认为对质量大于Al（+）的较重的离子，注入无定形层总是在损伤密度分布的峰值处首先形成，而我们的研究结果揭示，质量数大于Al（+）的BF2（+）在低温下注入形成的无定形层首先在近表面形成。系统比较研究了BF2（+）以及相应的B（+），F（+）注入硅的损伤行为，发现BF2（+）注入损伤的非线性增强，并得出了损伤增强因子与注入能量、剂量、靶温的关系，室温注入时，损伤呈双峰分布：表层损伤—单晶层—体内损伤层，BF2（+）注入存在显著的表层损伤增强。成功地以我们提出的多体碰撞模型解释了BF2（+）注入的损伤增强效应，并发现其表层损伤增强因子可用相应的核阻止本领dE/dxee值来估算。