立方氮化硼薄膜的织构生长和掺杂特性研究

立方氮化硼（c-BN）薄膜是一种新型超硬宽带隙功能材料，其性能类似于金刚石膜，有着许多优异的物理化学性能，有可能实现n型和p型掺杂，成为宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率等方面有广泛的应用前景。目前应用的关键是必须获得它的织构生长和掺杂技术。本项目就是应用MW-ECR-CVD等方法制备出高质量的c-BN膜，实现可控n型和p型掺杂。