立方氮化硼薄膜的p型掺杂和薄膜p-n结的研制

金刚石和立方氮化硼（c-BN）作为宽带隙半导体薄膜材料，在高温半导体器件和光电子技术领域有着广泛的应用前景。就目前技术来看，虽然制作金刚石膜的水平较高，但实践证明：制备符合实用器件要求的金刚石同质p-n结几乎是不可能的（因为还未找到金刚石膜的n型掺杂剂）。若要实现宽带隙薄膜材料在高温半导体器件和光电子技术领域的应用，则寄希望于制备c-BN同质薄膜p-n结。c-BN同质薄膜p-n结的研制，成为宽带隙c-BN薄膜材料在高温半导体器件和光电子技术领域应用中的关键环节。c-BN膜n-型掺杂已初步实现（如掺S），若能实现它的p-型掺杂，就可率先制备出c-BN同质p-n结半导体器件，使这类器件提前进入应用领域，尽快为人类创造财富。本项目采用射频溅射方法实现c-BN薄膜的n型掺杂和p型掺杂，制备高质量c-BN同质p-n结。研究其制备工艺，电学性能和光发射性能以及宽带隙半导体p-n结器件物理。