截止波长8-12μm的InAsSb单晶的特性研究
基本信息
批准号：60644005
项目类别：专项基金项目
资助金额：8.00
负责人：高玉竹
学科分类：
依托单位：同济大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：龚秀英,吴坚,侯艳芳
关键词：
熔体外延长波长特性研究InAsSb红外器件
结项摘要
InAsSb的能隙可以小到0.1eV，因此成为III-V族化合物中最有希望的长波红外探测材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的晶体生长技术－熔体外延(ME)，目前已用ME在国内生长出了截止波长10-12μm的InAsSb/InAs及InAsSb/GaAs单晶。本项目将在此基础上，用傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、X-射线衍射测量、霍尔变温测量、扫描电子显微镜等测量手段进一步研究InAsSb材料的
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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