InAs和InSb的三元化合物InAsSb的能隙可以小到0.1eV (相当于截止波长12.4 μm),因此成为III-V族半导体中最有希望的长波红外器件材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的新的晶体生长技术-熔体外延(ME),特别适合于生长InAsSb材料。我们将用ME在InAs衬底上生长截止波长8-12μm的InAsSb单晶,并用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X-射线衍射测量、霍尔变温测量、电子探针微分析及电子显微镜等测量手段研究InAsSb材料的光学、电学等物理性质、结构特性及生长机理。通过研究来提高材料的质量,在此基础上试制波长8-12μm的InAsSb光伏型红外探测器。本项目将填补我国在III-Ⅴ族长波红外材料上的空白,为红外技术的发展提供重要的新材料。
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数据更新时间:2023-05-31
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