截止波长8-12μm的InAsSb单晶
基本信息
批准号：60376002
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：高玉竹
学科分类：
依托单位：同济大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：龚秀英,胡古今,张海燕
关键词：
熔体外延长波长InAsSb红外器件红外材料
结项摘要
InAs和InSb的三元化合物InAsSb的能隙可以小到0.1eV (相当于截止波长12.4 μm)，因此成为III-V族半导体中最有希望的长波红外器件材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的新的晶体生长技术－熔体外延(ME)，特别适合于生长InAsSb材料。我们将用ME在InAs衬底上生长截止波长8-12μm的InAsSb单晶，并用傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、X-射线衍射测量、霍尔变温测量、电子探针微分析及电子显微镜等测量手段研究InAsSb材料的光学、电学等物理性质、结构特性及生长机理。通过研究来提高材料的质量，在此基础上试制波长8-12μm的InAsSb光伏型红外探测器。本项目将填补我国在III-Ⅴ族长波红外材料上的空白，为红外技术的发展提供重要的新材料。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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