硅基Ш-V族长波红外材料InAsSb单晶的生长及其性能研究

InAsSb三元合金在常规的Ш-V族化合物中具有最小的禁带宽度（0.1eV）和极高的电子迁移率，是制作中、远红外探测和发光器件的重要材料。本项目拟采用改进的液相外延方法在硅衬底上外延生长长波红外材料InAsSb单晶，实现大晶格失配度下的异质外延生长，并对InAsSb单晶材料的光学、电学性质进行深入研究。改进的液相外延生长工艺是一种创新的晶体生长技术，其生长工艺介于体材料与膜材料生长工艺之间，膜厚达100微米以上。该厚度是MOCVD、MBE等生长方法难以达到的。其独特的生长工艺非常有利于大晶格失配下的异质外延生长，并且100微米左右的外延层厚度可以有效克服大的晶格失配所带来的不利影响。.硅基长波红外材料InAsSb单晶的异质外延生长，对于发展大面积焦平面阵列和探测器阵列与读出电路的集成，实现与硅电子器件集成技术的兼容，以及对室温红外探测器的应用发展将起到极其重要的作用。