截止波长8-12μm的InAsSb光伏型探测器
基本信息
批准号：60777022
项目类别：面上项目
资助金额：32.00
负责人：高玉竹
学科分类：
依托单位：同济大学
批准年份：2007
结题年份：2010
起止时间：2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：龚秀英,吴坚,王翠霞
关键词：
熔体外延长波长InAsSb红外器件
结项摘要
InAsSb的能隙可以小到0.1eV，因此成为III-V族化合物中最有希望的长波红外探测材料。我们掌握了一项具有自主知识产权的晶体生长技术－熔体外延(ME)，目前已用ME在国内生长出了截止波长10-12μm的InAsSb/InAs及InAsSb/GaAs单晶。本项目将在此基础上，进一步提高材料的质量，并用傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、X-射线衍射测量、热激电流谱（TSC）、电子显微镜等测试手段进一步研究InAsSb材料的物理性质及结构特性。用分子束外延（MBE）及液相外延(LPE)技术在n-InAsSb外延层上生长带隙较InAsSb宽的p-InSb层，形成异质的p-n结，制作波长8-12μm的InAsSb光伏型探测器，测量并研究探测器的伏安特性及光谱响应特性。本项目对我国红外技术的发展具有极其重要的研究及应用价值。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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