自旋相关电子在纳米结构中的传输
基本信息
批准号：10564004
项目类别：地区科学基金项目
资助金额：25.00
负责人：李云
学科分类：
依托单位：云南大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈秀华,虎志民,王全彪,郝瑞亭,高立刚,陈长清,钱涛,王向前
关键词：
MRAM磁性隧道结自旋翻转及自旋混合效应自旋极化输运
结项摘要
随着人们对电子微观特性及行为的认识的深入，在功能材料及器件方面不断开辟出许多新的研究前沿。对小于100纳米结构中电子运动的研究，揭示出了与电子的自旋特性相关的崭新的物理现象及效应,在自旋电子学(spintronics)领域开始了基于电子自旋转移控制(spin-transfer switching)的新一代电子元器件一非破坏性高密度磁性记忆元器件(MRAM)的研究.与现有的记忆元件相比，MRAM具有数据不丢失(nonvolatile)、非破坏性读取、快速存储（小于2nsec）以及无限期寿命等优点。.本项目旨在研究外加偏压、杂质及自旋-轨道相互作用引起的自旋反转和自旋混合效应对自旋极化电流输运特性及相关效应的影响；研究双势垒磁性隧道结中自旋极化电流引起磁化强度反转的有关因素,探索降低临界电流密度这一关系到MRAM应用的核心问题。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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