氮化硅薄膜的喷射气相淀积制备及其与氮化镓之间界面态研究
基本信息
批准号：50872134
项目类别：面上项目
资助金额：36.00
负责人：王玉琦
学科分类：
依托单位：中国科学院合肥物质科学研究院
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：温祥松,王迎风,张辉,周秀菊,乔媛媛
关键词：
氮化硅薄膜氮化镓喷射气相淀积界面态
结项摘要
在GaN基器件实用化以前，还有许多材料科学的基础问题需要进行深入细致的研究。作为钝化和栅电极的绝缘层薄膜同GaN界面缺陷就是一个具有重要应用背景并且值得投入研究的基础问题。实验结果表明利用SiO2或SiNx对GaN/AlGaN场效应晶体管进行钝化以减小各种电流崩塌效应的同时也带来了由界面缺陷态所引起的漏电流增加及击穿电压的下降等副作用。在本项目中，我们建议采用喷射气相射淀积（JVD）技术，在GaN表面上制备JVD SiNx薄膜，利用变温-变频C-V技术分析薄膜/半导体界面态密度及其行为，利用I-V测量技术测量超薄JVD SiNx薄膜的隧穿谱探测薄膜内的缺陷能级，利用Raman散射和椭圆偏振光测量技术研究薄膜特性同薄膜生长条件之间的关系，系统地研究钝化对器件特性的影响，研究 JVD SiNx薄膜对栅反向漏电流的影响，为GaN/AlGaN场效应晶体管和肖特基开关器件的实用化打下坚实基础
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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