同GaN/AlGaN场效应晶体管电流崩塌效应相关的深中心和表面态问题的光离化谱和调制光电谱研究
基本信息
批准号：10574130
项目类别：面上项目
资助金额：32.00
负责人：王玉琦
学科分类：
依托单位：中国科学院合肥物质科学研究院
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘敏,李新化,尹志军
关键词：
氮化镓场效应晶体管缺陷深中心
结项摘要
经过近十几年的研究，虽然在GaN/AlGan场效应器件研究领域取得了巨大进展，但在GaＮ/AlGaN器件中，由于强的电声子耦合导致的深中心和表面态对热电子的俘获所导致的DC、AC、及高偏置电压引起的多种电流崩塌效应仍是限制大功率场效应晶体管可靠工作的瓶颈。许多实验事实表明崩塌效应的起因与同材料的深中心和表面态相关。同传统的化合物半导体材料相比，对GaN/AlGaN材料系统中的深中心和表面态的物理特
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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