纳米CMOS器件源漏新型低接触电阻材料和工艺研究
基本信息
批准号：90607018
项目类别：重大研究计划
资助金额：28.00
负责人：蒋玉龙
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：2006
结题年份：2008
起止时间：2006-07-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：姜国宝,张驰,张立峰,黄巍,罗佳,黄益飞
关键词：
金属硅化物源漏接触低接触电阻固相反应
结项摘要
由于源漏金半接触电阻反比于接触面积，因而器件尺寸的快速缩小导致接触电阻急剧上升。为了满足更先进SOC系统对高速、低功耗器件的需求，研究与现有工艺兼容的源漏新型低接触电阻材料和工艺已变得非常必要。降低金半接触势垒高度是目前唯一的有效方法。对于p-Si已经找到PtSi作为低势垒接触材料，而对于n-Si现在尚未找到明确方案。本项目拟探索Er、Yb、Ho等稀土金属在Si、SiGe衬底上的固相反应规律；探索
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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