纳米尺度CMOS器件超浅结掺杂工艺TCAD研究
基本信息
批准号：60676022
项目类别：面上项目
资助金额：15.00
负责人：于民
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：任黎明,李国辉,赵宝瑛,詹凯,吴大可,肖韩,侯晓宇
关键词：
动力学蒙特卡罗分子动力学团簇注入闪光灯退火TCAD
结项摘要
针对纳米尺度CMOS的集成电路超浅结工艺需求，以局域化分子动力学的方法模拟低能团簇离子注入，以动力学蒙特卡罗方法模拟闪光灯退火的杂质扩散和杂质激活，将其应用于粗糙栅边沿的源漏扩展区的掺杂模拟，开发应用于下一代的浅结工艺的原子模型的模拟方法和TCAD软件，为浅结工艺开发和纳米尺度CMOS器件研究提供帮助。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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