β-C3N4薄膜的离子注入及其发光特性研究
基本信息
批准号：19875037
项目类别：面上项目
资助金额：23.50
负责人：吴大维
学科分类：
依托单位：武汉大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：夏幽兰,何民才,傅德君,叶明生,张辉,毛先唯,范炜,曹中伟,何孟兵
关键词：
氮化碳离子注入发光材料
结项摘要
用等离子体激发碳、氮离子，并在非平衡磁场和衬底偏压电场中加速和进一步离化，在硅衬底表面发生气相离子化学反应，生成β-.C3N4外延薄膜。采用氮离子束辅助沉积，提高峋分省Ｑ芯勘∧さ睦胱幼⑷牍ひ詹⑹迪謓型和p型掺杂。研究该膜的兰色发光特性。考察げ阒柿俊⒉牧系姆⒐庋匦杂敫髦只Х从μ跫墓叵担鞠钅康牟祷峁┮谰荨
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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