自旋电子系统光电特性的理论研究

长期以来，微电子学主要研究的是利用荷电性通过电场来控制的相关内容。而实际上，载流子的自旋属性同样可以操纵其相关过程。在半导体基的自旋电子系统中由于其重要的应用背景(如自旋三极管和场效应管，自旋波导，自旋滤波器，量子计算机等)，已成为当前半导体研究领域的热门和前沿。目前广泛应用的III-V和II-VI基的半导体系统和纳米结构中，由于其独特的能带结构，电子可与磁场和光场进行较强的耦合并显示出优越的光、光电、磁光及磁光电特性。此项目将主要集中研究窄带半导体量子阱，量子线和量子点中由于Rashba效应引起的自旋极化效应；研究光辐照强度和频率对电子自旋极化率和基本激发模式的影响；研究光场和磁场下断带量子阱的光电特性，以及由于断带特性而引起的电子和空穴在异质层中的量子和输运寿命，研究电场、磁场、层间耦合强度、屏蔽效应、电声相互作用等对石墨系统中等离激元、光电特性的影响.