氧化锌场发射器件的纳米线的设计、可控生长与应用研究

基本信息
批准号:50572095
项目类别:面上项目
资助金额:25.00
负责人:叶志镇
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:何海平,徐伟中,陈兰兰,张阳,曾昱嘉,马德伟
关键词:
纳米线场发射。氧化锌
结项摘要

由于平板显示器具有重量轻、功耗小、体积小、大屏幕等优点,平板显示技术得到了广泛的应用;场发射平板显示是其中具有很大应用前景的一种技术。除了碳纳米管外,氧化锌纳米线是另一种良好的阴极场发射电子材料。.本项目根据场发射的理论,计算和设计具有良好场发射性能的冷阴极场发射ZnO纳米线的尺寸、尖端形貌和导电性。采用金属有机化学汽相沉积方法和特殊工艺,在硅和玻璃等衬底上可控生长ZnO纳米线阵列。研究生长温度、气流、压力等工艺参数对纳米线尺寸和趋向的影响,揭示不同尺寸和趋向的ZnO纳米线场发射电子的能力;通过掺入施主元素改变纳米线的电阻率,研究电阻率对纳米线的场发射电子能力的影响;最终达到降低场发发射的起偏电场和增大发射电流密度的目的,获得较为理想的场发射氧化锌纳米线材料。并以此为冷阴极场发射源研制平板显示器件。该研究有望为氧化锌纳米线材料在场发射显示技术的应用奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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