硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究
基本信息
批准号：60046001
项目类别：专项基金项目
资助金额：15.00
负责人：叶志镇
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2000
结题年份：2002
起止时间：2000-09-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张昊翔,黄靖云,郭兵,赵炳辉,何乐年,卢焕明,汪雷,王宇,蒋良俊
关键词：
硅基薄膜热壁外延蓝光二极管
结项摘要
采用热壁外延技术，通过生长工艺参数的调整和控制，全理设计界面过渡层，在硅单晶上生长氮化镓单晶薄膜材料。解决硅单晶与氮化镓大失配异质外延的关键技术问题。研究氮化镓异质生长的热力学和动力学。问题通过的效地控制杂质缺陷，降低氮化镓背景电子浓度。采用掺杂的方法，形成PN结，然后通过电极制备与封装，制备出硅基氮化镓发蓝光二极管。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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